硅动力微电子充电解决方案拆解汇总
前言
在当今快充时代，手机充电器功率可达百瓦以上，因此对电源芯片、功率器件的需求会更加苛刻，硅动力作为国内少有的在电源芯片领域和功率器件领域均有涉及的高新技术企业，能够助力厂商提升产品高功率密度，高效推动整体行业发展。
硅动力电源芯片
充电头网整理历年的拆解案例时，发现硅动力的电源芯片以及功率器件已获联想、安克、绿联、品胜、努比亚等不同领域的知名厂商采用，涉及18W~150W功率段的数十款产品，下文小编为您详细介绍。
AC-DC
硅动力SP5620HP
硅动力SP5620HP是一颗电流模式PWM控制芯片，内部集成650V耐压MOS管，开关频率为65KHz。SP5620HP在启动和工作时只需要很小的电流，可以使用较大的启动电阻，从而进一步减小待机时的功耗。芯片还内置跳频和抖频功能，能够减小待机功耗，改善EMI性能。
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硅动力SP6638HF
硅动力SP6638HF是高性能、低功耗开关电源控制芯片，内置初级开关MOS，用于功率在18W以内的方案。SP6638HF是国内首款内置MOS支持恒功率模式的18W快充芯片，采用行业领先的3D封装技术。
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硅动力SP6639FL
硅动力SP6639FL为初级主控芯片，内部集成650V开关管和控制器，全电压范围输入时待机功耗低于75mW。芯片为固定65KHz开关频率，支持抖频功能和跳频模式，改善性能。芯片内置同步斜坡补偿，内置逐周期过流保护，欠压保护，供电电压钳位和过热保护，支持恒功率输出。
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硅动力SP6639HF
硅动力SP6639HF是一颗初级主控芯片，内置MOSFET的电流模式PWM控制芯片，支持27W以内功率应用，芯片支持多种运行模式，在不同负载范围优化系统效率。SP6639HF支持逐周期过流保护，过压保护，供电过压箝位，欠压保护和过热保护，采用SOP8封装，适用于充电器，机顶盒电源，开放式开关电源等应用。
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硅动力SP6647FL
硅动力SP6647FL为初级主控芯片，内部集成650V开关管和控制器，全电压范围输入时待机功耗低于75mW。芯片固定65KHz开关频率，支持抖频功能和跳频模式，改善性能。芯片内置同步斜坡补偿，内置逐周期过流保护，欠压保护，供电电压钳位和过热保护。
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硅动力SP6648HF
硅动力SP6648HF为初级主控芯片，这是一颗电流模式PWM控制芯片，其内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案。SP6648HF在PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。
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硅动力SP6649HF
硅动力SP6649HF为开关电源主控芯片，这是一颗电流模式PWM控制芯片，内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在30W以内的方案，固定65KHz开关频率，内置抖频功能用于改善EMI性能，跳频模式提高轻载效率，降低待机功耗。同时内置多种完善的保护功能，全功率范围无音频噪声，采用SOP8封装。
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硅动力SP6649DF
无锡硅动力SP6649DF是一颗电流模式PWM控制芯片，采用SOP8封装，内置650V耐压的超级硅功率管，可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率；内置多种保护，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制，可支持最大30W PD快充的开发。
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硅动力SP6649FL
硅动力SP6649FL为开关电源主控芯片，这是一颗电流模式PWM控制芯片，采用SOP8封装，内置650V高压功率MOSFET，芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。SP6649FL在启动和工作时只需要很小的电流，可以使用较大的启动电阻，从而进一步减小待机时的功耗，全电压范围输入时待机功耗小于75mW。
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硅动力SP6649DFL
硅动力SP6649DFL为开关电源主控芯片，这是一颗电流模式PWM控制芯片，采用SOP8封装，内置650V高压功率MOSFET，芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。SP6649DFL在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。
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硅动力SP6681
硅动力SP6681是一款高集成、高性能电流型PWM控制器，采用SOT23-6封装，具有低功耗、宽电源电压特点，适合应用在输出范围宽的PD充电器方案。该控制器同时也是一款兼容低成本、高性价比的离线反激式电路，全负载范围转换效率高，保护功能完善。IC内部频率转换技术实现了优异的EMI效果，内部工作频率控制技术使得 23KHz 频率以下的能量最小化，来避免工作时产生噪声。
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DC-DC
硅动力SP1128FM
硅动力SP1128FM是一颗高性能的同步降压芯片，采用SSOP10L封装，最高效率可达97%，支持9-45V输入电压，支持5V4.8A输出，具有两路独立的输出限流，右侧两颗R036电阻分别检测两个输出接口的输出电流。
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硅动力SP1259HN
硅动力SP1259HN是一颗40V输入的同步降压转换器，输出电流可达4.8A。芯片内部集成开关管，输出电流限制可通过外部电阻设定，开关频率可编程，内置可编程的线损补偿。
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硅动力SP1231FL
硅动力SP1231FL是一款同步降压转换器，芯片内部集成开关管，支持30V输入电压，输出电流3.1A。开关频率可编程，支持100%占空比，具有超低静态电流，是USB-A口5V降压输出的高性价比之选。
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硅动力SP1289EF
硅动力SP1289EF是一颗同步降压转换器，支持4.5-30V宽电压输入，最大输出电流3A，具有低静态电流，开关频率可编程，内置可调整的线损补偿，适用于车充，充电器以及充电插排等应用场合。
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硅动力SP1081F
硅动力SP1081F是一款同步降压转换器，支持30V输入电压，输出电流为3.1A，内部补偿电路简化了外围元件数量，支持CC/CV模式，开关频率可编程，采用SOP-8L封装。
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硅动力SP1233FL
硅动力SP1233FL是一款降压转换器，芯片内置开关管，输入电压范围为4.5-30V，输出电流为3.4A，支持外接电阻进行输出电流限制和开关频率编程。芯片内部集成短路保护和软启动，采用SOP8L封装。
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硅动力SP1250HN
硅动力SP1250HN为同步降压控制器，支持9-40V宽范围输入电压，最大输出电流8A。SP1250HN支持恒压恒流模式，通过外置电阻进行过电流保护设置。芯片内部集成可调节的线损补偿，支持过热保护，输出过电流和短路保护。采用QFN3*3-16封装，适用于车充，DC-DC转换器应用。
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同步整流芯片
硅动力SP6510
硅动力SP6510是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制器。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150kHz的开关频率应用，并且支持多个开关电源工作模式应用。其导通压降极低，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。转换效能优异，输出电压钳位功能使得高供电电压下栅极仍然安全可靠。
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硅动力SP6516F
硅动力SP6516F是一颗次级同步整流芯片，内置耐压60V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型RdsON低至11mΩ，可提供系统高达3A的应用输出，工作电压范围宽，支持多种工作模式，应用方便。
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硅动力SP6516FC
硅动力SP6516FC是一颗内部集成60V同步整流管的同步整流芯片，支持150KHz开关频率，支持CCM、DCM和QR运行模式，支持高侧和低侧应用，无需辅助供电绕组，外围只需一颗供电电容，应用简单。
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硅动力SP6516FD
硅动力SP6516FD是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。SP6516FD可支持高达150KHz的开关频率应用，同时支持多种开关电源工作模式应用，其导通压降极低，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
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硅动力SP6516FL
硅动力SP6516FL同步整流芯片内置65V同步整流管，支持150kHz开关频率，支持CCM/QR/DCM工作模式，并支持负端和正端应用。SP6516FL支持自供电技术，适合3.3-12V快充自供电同步整流应用，采用SOP8封装。
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硅动力SP6518F
硅动力高性能次级同步整流芯片SP6518F，内置耐压80V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型RdsON低至10mΩ， 可提供系统高达3A的应用输出。SP6518F还内置了高压直接检测技术，耐压高达200V；以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围；在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。
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硅动力SP6518FB
硅动力SP6518FB是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案，SP6518FB支持150KHz工作频率，支持CCM/QR/DCM工作模式，适合3.3-12V快充同步整流应用，采用SOP8封装，外围元件精简。
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硅动力SP6519F
硅动力SP6519F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制器。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHz的开关频率应用，并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
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硅动力SP6536F
无锡硅动力SP6536F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制器，在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。SP6536F内置耐压60V的NMOS同步整流开关，且具有极低的内阻；支持高达150kHz的开关频率应用；支持多种开关电源工作模式应用，其导通压降极低，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
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硅动力功率器件
MOS管
硅动力SP08N04SF
硅动力SP08N04SF为40V的NMOS，采用SOP8封装，导通电阻低至7mΩ，在相同的芯片面积下有更低的导通损耗，同时具有较高的雪崩能力，外围元器件选型更灵活，可适配绝大多数同步降压转换器的应用。
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硅动力SP14N04SF
硅动力SP14N04SF为40V的NMOS，采用SOP8封装，具有优异的FOM值（RdsonxQg），电荷和快速的反向恢复能力，能适应300KHZ的高开关频率工作，降低工作阶段的发热，可配合大多数同步降压转换器与次级同步整流器的应用。
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充电头网总结
无锡硅动力微电子股份有限公司拥有先进的集成电路设计及测试平台，充分发挥数模混合及系统集成的技术优势，以市场为导向，开发拥有自主知识产权的优质电源管理集成电路产品，产品包含AC/DC、DC/DC等绿色电源管理芯片，可广泛应用于智能手机快速充电器、5G通信适配器、小家电、智能家居、智能电表、工业与汽车电子等领域。
从本篇文章不难发现，硅动力作为国内少有的同时布局电源芯片以及功率器件的厂商，旗下产品获得安克、联想、绿联等多家国内外厂商认可，产品质量饱受好评。未来硅动力还将继续增加研发投入，推出更多符合厂商需求的新品，推动整体产业链发展，实现充电器核心器件国产化替代。
展会预告
无锡硅动力微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位位于A区A19，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
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