沃泰芯参加2022亚洲充电展，推出三款贴片氮化镓开关管
沃泰芯参加2022亚洲充电展，展位号位于B92。
公司介绍
广州沃泰芯电子技术有限公司是中国第三代半导体行业高新科技企业，专业从事第三代化合物半导体氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC)功率器件与集成电路的研发与生产，公司集合了数名台湾电机工程学博士以及国内半导体精英，联合创办的“专 精 特 新”型先进制造企业。
公司一期项目坐落于江西省龙南市，投资10亿元，建成无尘生产车间及氮化镓（GaN）半导体量产线，主要产品包括：VCSEL，光检测器，GaN HFET器件与集成电路，GaN/Si HFET功率器件芯片，应用于5G光通讯系统、数据中心、人脸/手势辨识、自驾车、及电源快充应用等领域。
沃泰芯致力打造集材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，产品设计及性能均达到国际先进水平，填补国内空白，为中国半导体产业实现国产替代做出贡献。
大咖说
1：贵司从充电头网的评价
充电头网站是一个对产品非常专业，产品内容非常丰富，在客户品牌力推广方面极强的公司，贵网站对快充产品的拆解视频，拆解过程的解读，方案的推广，以及品牌的推广起到很大推进作用。
2：对第三代半导体的展望/快充/户外电源的展望
广州沃泰芯电子技术有限公司是中国第三代半导体行业高新科技企业，专业从事第三代化合物半导体氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC)功率器件与集成电路的研发与生产，公司集合了数名台湾电机工程学博士以及国内半导体精英，联合创办的“专 精 特 新”型先进制造企业。
公司建成无尘生产车间及氮化镓（GaN）半导体量产线，主要产品包括：VCSEL，光检测器，GaN HFET器件与集成电路，GaN/Si HFET功率器件芯片，应用于5G光通讯系统、数据中心、人脸/手势辨识、自驾车、及电源快充应用等领域。
沃泰芯致力打造集材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，产品设计及性能均达到国际先进水平，填补国内空白，为中国半导体产业实现国产替代做出贡献。
产品介绍
氮化镓作为第三代半导体，具有更快的开关速度及更低的开关损耗，广泛应用在快充上，提升了转换效率，并大大减小了快充体积，深受消费者的欢迎。
氮化镓技术引入到充电器中，能够有效降低开关损耗，减少器件上的发热，同时更低的导通电阻，也降低了器件发热，从而降低充电器的散热需求。配合氮化镓的高频优势，减小充电器中变压器的体积，进一步压缩了充电器的体积。
广州沃泰芯电子技术有限公司是中国第三代半导体行业高新科技企业，专业从事第三代化合物半导体氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC)功率器件与集成电路的研发与生产，公司集合了数名台湾电机工程学博士以及国内半导体精英，联合创办的“专 精 特 新”型先进制造企业。
沃泰芯半导体推出了三款D-MODE的氮化镓开关管，均采用贴片封装，支持快充及LED照明应用。通过应用氮化镓到电源厂产品中，可以降低开关电源的待机功耗，同时提高转换效率，降低散热要求。还可以在相同的体积内增加输出功率，扩展使用场景。
沃泰芯主要产品包括：VCSEL，光检测器，GaN HFET器件与集成电路，GaN/Si HFET功率器件芯片，应用于5G光通讯系统、数据中心、人脸/手势辨识、自驾车、及电源快充应用等领域。沃泰芯致力打造集材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，产品设计及性能均达到国际先进水平，填补国内空白，为中国半导体产业实现国产替代做出贡献。
沃泰芯WTXND6105A是一款650V耐压，导阻1Ω的常关型氮化镓开关管，采用DFN5*6封装。内部使用低压硅MOS和高压氮化镓开关管组合，具备优秀的可靠性和性能，相比硅器件可以提供更低的栅极电荷，更低的开关损耗和更小的反向恢复电荷。
沃泰芯WTXND6105A具备宽范围的栅极驱动电压，具备800V瞬态耐压能力，具备增强的电流冲击能力。可提高电源的功率密度，减小系统尺寸及重量，降低系统开销，适用于电源适配器、小功率开关电源以及LED照明。
沃泰芯WTXND6115A是一款650V耐压，导阻480mΩ的常关型氮化镓开关管，采用DFN8*8封装。内部使用低压硅MOS和高压氮化镓开关管组合，具备优秀的可靠性和性能，相比硅器件可以提供更低的栅极电荷，更低的开关损耗和更小的反向恢复电荷。
沃泰芯WTXND6115A具备宽范围的栅极驱动电压，具备800V瞬态耐压能力，具备增强的电流冲击能力。可提高电源的功率密度，减小系统尺寸及重量，降低系统开销，适用于电源适配器、小功率开关电源以及LED照明。
沃泰芯WTXND6215A是一款650V耐压，导阻300mΩ的常关型氮化镓开关管，采用DFN8*8封装。内部使用低压硅MOS和高压氮化镓开关管组合，具备优秀的可靠性和性能，相比硅器件可以提供更低的栅极电荷，更低的开关损耗和更小的反向恢复电荷。
沃泰芯WTXND6215A具备宽范围的栅极驱动电压，具备800V瞬态耐压能力，具备增强的电流冲击能力。可提高电源的功率密度，减小系统尺寸及重量，降低系统开销，适用于电源适配器、小功率开关电源以及LED照明等应用。
充电头网总结
第三代半导体氮化镓优越的性能优势，在快充上得到了充分的发挥。氮化镓的高频高效特性，显著提高了充电器转换效率，并降低散热需求，助力大功率充电器小型化。同时氮化镓还可以用于大功率开关电源，LED照明等应用，推进节能低碳减排。
沃泰芯推出的氮化镓器件兼容传统硅器件驱动，简化应用门槛，并且具有800V瞬态耐压能力，具有增强的耐过电流能力，可用于大功率开关电源等应用，提高效率，减小能耗。
A区（仅剩10席）
冠华伟业（A01-02）、矽力杰（A03）、芯朋（A04-06）、金晟欣（A07）、VSG（A08）、杰华特（A09）、钰泰（A10）、锐仕嘉（A11）、东科（A12-15）、力生美（A16）、坤兴（A17）、熙素微（A18)、威兆（A19)、宏曦睿（A20)、百隆电子（A25）、百斯科（A30）、艾思科技（A31）、酷科（A34）、强弦科技（A35）、胜宏（A36）、智融（A37）、宝砾微（A38）、意丰精密（A39)、聚能创芯（A40-43）、锐骏（A44)、瑞亨（A45）、古石（A46）、立讯精密（A47) 、斯泰克（A48）
B区（已抢空）
美浦森（B01-02）、卡旺达（B03-04)、泰克威（B05）、新斯宝（B06）、芯控源（B07-08）、特锐祥（B09-10、B27-28）、诚润（B11)、德协（B12）、江智（B13)、国金燊（B14）、芯冠（B15）、羽博（B16、B21)、誉鸿锦（B17-20）、恒泰柯（B22）、研吉（B23）、华羿微（B24）、速芯微（B25）、能华微（B26）、PI（B29-30）、力科（B31)、力宏微（B32）、汉宇热能（B33）、黄宝石（B34）、基本半导体（B35）、TUV（B36）、沃尔德（B37-40）、中富电路（B41）、富华（B42）、佳域（B43）、真茂佳（B44）、捷捷微电（B45）、沁恒（B46）、必易微（B47-48）、茂睿芯（B49-50、C67-68）、泓森精密（B51）、伏达（B52）、芯干线（B53）、英嘉通（B54）、环球半导体（B55）、纳微（B56-61）、士兰微（B62）、长晶（B63)、亚成微（B64）、瞻芯（B65)、小镓伙（B66)、、阿卡西斯（B69-70、B87-88)、鞍山奇发（B71）、美芯晟（B72）、通嘉（B73）、旭茂微（B74）、卓芯微（B75）、森国科（B76）、步步精（B77-80）、阿图姆（B81）、华瑞微（B82)、天德钰（B83）、田中精机（B84）、精睿（B85）、展嵘（B86）、威源新能（B89-90、B107-108）、鸿镓（B91）、沃泰芯（B92）、时科（B93）、雅晶源（B94-95）、英集芯（B96）、茂迪（B97-100）、蓝箭（B101）、中西游（B102） 、新亚电子（B103）、昂盛达（B104-105）、鲸测云（B106）、军康（B109-110）、美思半导体（B111）、东承信（B112-113）、宇昊（ B114）、辰达行（B115）、科尼盛（B116）、沃尔德（B117-118）
C区（已抢空）
蓝宝（C01-02）、科雅（C03）、辰阳（C04-05）、Transphorm（C06-07）、镓未来（C08-09、C22-23）、华源（C10）、华锦（C11）、博兰得（C12）、叁叶源（C13）、必能信（C14）、燊旺和（C15）、优品仕（C16）、华润微（C17）、德立华（C18）、茂硕（C19）、普仕达（C20）、正浩（C21）、华美（C24-25、C38-39）、国瑞阳光（C26）、诚悦（C27-28）、富登（C29）、易冲（C30）、超力源（C31-32）、华阳智能（C33）、瑞嘉达（C34）、贝奇（C35）、航嘉（C36)、慧能泰（C37）、晶丰明源（C40-41、C54-55）、高特（C42）、维普（C43）、同轴（C44）、瑞吉达（C45）、首诺信（C46-49）、硅动力（C50）、万京源（C51）、创芯微（C52）、方舟微（C53）、星恒（C56、C71）、晶昶能（C57)、东佳（C58）、泰科天润（C59）、贝特（C60）、钰邦凯泽鑫（C61）、英诺赛科（C62-65）、柔性磁电（C66）、三浦微（C67-68）、立创普（C69）、安森德（C70）、南芯（C72-73、C86-87）、芯导（C74）、聚泉鑫（C75）、益程（C76）、长瑞（C77）、芯海（C78-81）、鹏元晟（C82）、力林（C83）、旭联（C84-85）、辉越（C88-89）、初态（C90）、铼微（C91）、简单智能（C92）、大宇精密（C93)、永铭（C94-95）
参展联系：info@chongdiantou.com
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