基本半导体参加2022亚洲充电展，推出DFN5*6和SMBF封装碳化硅肖特基二极管
基本半导体参加2022亚洲充电展，展位号位于B35。
公司介绍
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、南京、无锡以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院、瑞士洛桑联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链，推出通过AEC-Q101可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。公司累计获得专利授权百余项，荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖、2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。
大咖说
贵司对充电头网的评价
充电头网根植于消费类电源市场，提供了大量专业拆解报告、深度测评分析、优质行业资讯，是深入了解充电头行业重要窗口。同时充电头网主办的亚洲充电展，搭建起产业链上下游交流互动的平台，吸引了众多业内人士的关注。基本半导体也将以亚洲充电展为契机，在与量产客户保持密切合作的同时积极开拓新客户，加强行业联动协作，共同助推PD快充产业发展。
行业展望
碳化硅具备高频、高效、高功率密度等优势，在要求更高功率等级及功率密度的市场上应用前景广阔。受益于光伏、新能源汽车等终端应用市场的快速发展，第三代半导体迎来了重要发展机遇。根据Yole报告预计截至2025年碳化硅器件市场规模将达到25亿美元以上。
面对产业发展关键期，基本半导体勤练内功抢抓机遇，持续投入到碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、汽车级全碳化硅模块的研发创新中，取得不俗成绩。同时公司积极完善产业链布局，建成国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线。未来，基本半导体将不断提升在研发创新、生产制造、市场营销等维度的竞争力，以实力赢取市场和口碑。
产品介绍
碳化硅属于宽禁带半导体，由其制作的碳化硅肖特基二极管具备耐高温、耐高压的特性，非常适合高频高压应用。相比传统快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管没有反向恢复电流，可显著降低CCM模式下PFC整流管的反向恢复损耗。同时碳化硅二极管搭配氮化镓开关管，还可以显著提高PFC电路的工作频率，进一步减小体积，并提升转换效率。
碳化硅功率器件领军企业基本半导体推出SMBF、DFN5*6两款超薄封装的碳化硅二极管，可用于PD快充、UPS、快充电源以及马达驱动等，性能达到行业先进水平。几乎无反向开关损耗的特性，可显著提高系统能效，并提高功率密度，支持高频开关。同时高工作温度和正温度系数，可以方便并联使用，提升电流并降低散热需求，提升系统功率密度。
其中，SMBF封装碳化硅肖特基二极管由基本半导体在国内率先研发推出，该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，能很好地满足“小轻薄”的PD快充对器件尺寸的特殊需求。
基本半导体的耐压650V碳化硅二极管B2D04065V，采用SMBF封装，封装尺寸为5.3*3.6*1.35mm，可有效节省PCB占板面积，同时内部使用铜框架焊接，具有更低的封装热阻，更强的通流能力，是一种很有优势的小体积封装。
B2D04065V在135℃下连续正向电流4A，支持-55到150℃工作温度，正向压降1.35V，可用于开关电源、不间断电源、马达驱动以及PFC功率因数校正应用。
基本半导体型号为B2D04065D的碳化硅二极管采用DFN5*6封装，耐压650V，封装厚度仅为1mm，适合空间狭小的应用，满足PD快充等多样化的散热设计。
B2D04065D在155℃下连续正向电流4A，支持-55到175℃工作温度，正向压降1.4V，可用于开关电源、不间断电源、马达驱动以及PFC功率因数校正应用。
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、南京、无锡以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链。
基本半导体已推出通过AEC-Q101可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
充电头网总结
伴随着快充充电器的输出功率不断提升，PFC功率因数校正电路成为充电器中的刚需，在PFC电路中使用碳化硅二极管可以大大降低传统快恢复二极管的反向恢复损耗，从而提升PFC级的升压效率。与此同时，碳化硅二极管具有较低的正向压降，对于传统快恢复二极管也具有相当的竞争力。
第三代半导体相比传统半导体具有显著的性能优势，有助于减小快充充电器的体积。USB PD3.1支持的功率达到240W，对于功率密度有更高的要求，基本半导体推出的两款碳化硅二极管，不仅具有卓越的性能，封装也契合现今高功率密度快充的需求。
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A区（仅剩12席）
冠华伟业（A01-02）、矽力杰（A03）、芯朋（A04-06）、金晟欣（A07）、VSG（A08）、杰华特（A09）、钰泰（A10）、锐仕嘉（A11）、东科（A12-15）、力生美（A16）、坤兴（A17）、熙素微（A18)、威兆（A19)、宏曦睿（A20)、百隆电子（A25）、艾思科技（A31）、强弦科技（A35）、胜宏（A36）、智融（A37）、宝砾微（A38）、意丰精密（A39)、聚能创芯（A40-43）、锐骏（A44)、瑞亨（A45）、古石（A46）、立讯精密（A47) 、斯泰克（A48）
B区（已抢空）
美浦森（B01-02）、卡旺达（B03-04)、泰克威（B05）、新斯宝（B06）、芯控源（B07-08）、特锐祥（B09-10、B27-28）、诚润（B11)、德协（B12）、江智（B13)、国金燊（B14）、芯冠（B15）、羽博（B16、B21)、誉鸿锦（B17-20）、恒泰柯（B22）、研吉（B23）、华羿微（B24）、速芯微（B25）、能华微（B26）、PI（B29-30）、力科（B31)、力宏微（B32）、汉宇热能（B33）、黄宝石（B34）、基本半导体（B35）、TUV（B36）、沃尔德（B37-40）、中富电路（B41）、富华（B42）、佳域（B43）、真茂佳（B44）、捷捷微电（B45）、沁恒（B46）、必易微（B47-48）、茂睿芯（B49-50、C67-68）、泓森精密（B51）、伏达（B52）、芯干线（B53）、英嘉通（B54）、环球半导体（B55）、纳微（B56-61）、士兰微（B62）、长晶（B63)、亚成微（B64）、瞻芯（B65)、小镓伙（B66)、、阿卡西斯（B69-70、B87-88)、鞍山奇发（B71）、美芯晟（B72）、通嘉（B73）、旭茂微（B74）、卓芯微（B75）、森国科（B76）、步步精（B77-80）、阿图姆（B81）、华瑞微（B82)、天德钰（B83）、田中精机（B84）、精睿（B85）、展嵘（B86）、威源新能（B89-90、B107-108）、鸿镓（B91）、沃泰芯（B92）、时科（B93）、雅晶源（B94-95）、英集芯（B96）、茂迪（B97-100）、蓝箭（B101）、中西游（B102） 、新亚电子（B103）、昂盛达（B104-105）、鲸测云（B106）、军康（B109-110）、美思半导体（B111）、东承信（B112-113）、宇昊（ B114）、辰达行（B115）、科尼盛（B116）、沃尔德（B117-118）
C区（已抢空）
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参展联系：info@chongdiantou.com
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