芯冠参加2022亚洲充电展，推出两款新一代氮化镓功率器件
芯冠参加2022亚洲充电展，展位号位于B15。
公司介绍
大连芯冠科技有限公司是全球领先的第三代半导体氮化镓外延及器件制造商，提供650V全规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。
产品介绍
第三代半导体氮化镓功率器件，在快充等消费领域中获得了广泛的应用。但随之而来的高频磁芯材料制造及成本，也限制了氮化镓器件冲击高频的步伐，开关频率始终没有突破兆赫兹。
对工业应用领域的开关电源来说，能够在有限的体积内提升效率，提高功率密度，也逐渐成为人们的共识。在大功率开关电源中应用芯冠CASCODE结构氮化镓器件，可以使用传统硅MOS的控制芯片，同时CASCODE结构氮化镓器件，相比传统硅器件具有更低的开关损耗和栅极电荷，氮化镓高频低损耗的优势可以得到充分发挥，为节能减排贡献力量。
大连芯冠科技有限公司是采用IDM模式，从事以氮化镓为代表的第三代半导体外延材料、晶圆研发及器件设计的制造商，提供650V/900V多规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单，只需配合栅极电阻调节开关速度，引脚套磁珠抑制EMI干扰；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。
大连芯冠科技推出了两款新的CASCODE结构氮化镓开关管，GaN均为D-MODE耗尽型，其中XG65T300HS2A为DFN8*8贴片封装，耐压650V，导阻240mΩ。XG90T150PS2A为TO220封装，耐压900V，导阻150mΩ。两款氮化镓开关管均支持20V栅极电压，保证了功率开关管在导通状态下电阻最小，且器件栅压有足够的裕量来应对开关过程中的电压过冲等不利因素，避免造成器件的潜在损伤和失效。
大连芯冠科技XG65T300HS2A是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管，额定耐压650V，瞬态耐压达1100V。可使用传统的栅极驱动器进行驱动，具有低恢复电荷和开关损耗，适用于高效USB PD快充，高效开关电源等应用。
大连芯冠科技XG90T150PS2A是一款TO220封装的氮化镓开关管，额定耐压900V，瞬态耐压达1700V，导阻150mΩ，采用TO220封装，具有更低的封装热阻，固定在散热片上支持更高的功率输出。
芯冠科技推出的D-MODE氮化镓开关管，适用于小功率PD快充等消费类领域，大功率开关电源，电信及数据中心应用，马达驱动及汽车应用等领域。
充电头网总结
随着人们环保意识的增强，氮化镓以高效节能的优势，得到了迅猛的发展。氮化镓应用在快充中，提高了快充的转换效率，显著缩小体积。氮化镓还可广泛应用到家用产品中，如电动自行车充电器，LED照明等，在广阔的应用中，发挥节能降耗的功效。
大连芯冠推出的CASCODE结构氮化镓功率器件，支持20V栅极驱动电压，能够很好的兼容传统的硅器件驱动芯片，降低了氮化镓的应用门槛。其优秀的瞬态耐压能力，在异常工况下具有更高的可靠性。
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参展联系：info@chongdiantou.com
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