芯塔参加2022亚洲充电展,SiC MOSFET产品线亮相
芯塔参加2022亚洲充电展,展位号位于A24
公司介绍
安徽芯塔电子科技有限公司是国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商,坚持以自主创新为核心,致力于先进半导体功率器件的国产化。公司位于皖江城市带承接产业转移示范区安徽省芜湖市高新区。核心技术团队来自浙江大学、中科院、海外知名院校及业界知名头部企业,具有深厚的产品研发能力和产业化经验。
公司已完成一系列的产品研发和批量生产,包括6英寸SiC肖特基二极管芯片,650V-1200V 40多种规格的SiC肖特基二极管器件和模块,GaN HEMT芯片和器件,并且已经研发成功第五代肖特基二极管产品。具有芯塔电子自主知识产权的SiC 1200V 80mΩ MOSFET芯片已经开发完成,性能对标国际一线品牌,满足客户需求,可实现国产替代。
目前,芯塔电子已逐渐形成比较完整的功率器件产品体系,产品在高端电源领域通过验证,进入了行业标杆客户,同时在军工、新能源汽车、充电桩等领域进行了送样和销售。2021年销售额近400万元,预计2022年销售收入将超过3000万元。
产品介绍
硅作为第一代半导体材料,长久以来一直是功率电子学中优选半导体材料。近年来,以碳化硅为代表的第三代半导体蓬勃发展。相对于硅材料器件,碳化硅以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度,降低成本造价,增强可靠性和适用性,提高电能转换效率,降低损耗。
目前碳化硅在电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上广泛应用。随着USB PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟,大功率快充电源市场逐渐兴起,碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角,被部分100W大功率氮化镓快充产品选用。
SiC产业目前处于快速发展期,新能源汽车及光伏等领域对SiC MOSFET需求旺盛。然而,SiC MOSFET因技术难度高、研发周期长、研发投入大、人才要求高等因素,国内总体水平还相对比较薄弱,具备研发和量产能力的企业更是凤毛麟角。
而作为国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商,TOPE芯塔电子最近推出的SiC MOSFET产品系列,为高电压应用场景提供了全新的国产解决方案。
芯塔SiC MOSFET产品线亮相
面对外界风险挑战,芯塔电子坚持本土创新,加大研发投入,攻坚关键核心技术,面向三代半新赛道加快构建核心技术优势。芯塔电子依靠十多年的技术积累,通过和合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术,研究栅氧的物理机理,改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率,使得具有自主的知识产权的SiC MOSFET器件具有更小的导通电阻,性能达到国际先进水平。
上图为TOPE芯塔电子1200V SiC MOSFET输出特性曲线,从图中可以看到在不同栅极驱动电压的情况下,源漏极之间电压和电流的关系,而在不同的条件下,芯塔1200V SiC MOSFET的输出表现良好。
上图是Vac为25mV,频率为1MHz时的芯塔电子1200V SiC MOSFET电容曲线。从图中可以看到输入电容和源漏极之间电压的变化关系。
国际一线品牌产品1200V SiC MOSFET应用测试
在SiC MOSFET高频开关应用双脉冲测试方面,将芯塔与国际一线品牌的1200V SiC MOSFET产品进行对比,上图中的黄线为栅极电压,红线为源漏极电压,蓝色为源漏极电流。
芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试
通过高频开关应用对比可以看出,芯塔电子的1200V SiC MOSFET产品与国际一线品牌产品测试表现接近,性能满足客户需求,可实现国产替代。
产品布局
TOPE芯塔电子此次推出的SiC MOSFET产品线目前共有六款产品,可应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域。产品基于自主开发的XM 2.0技术平台,具有精细结构设计、低比导通电阻和低优植因子等技术优势。
芯塔电子的SiC MOSFET产品系列采用TO-247-3或TO-247-4封装,漏源电压有1700V、1200V、650V三种电压等级,阈值电压为2-4V,可根据不同应用场景满足客户的多样化需求。
充电头网总结
芯塔电子是SiC功率器件国产化的先行者,SiC MOSFET从产品设计、制造、封装等各环节均在国内完成,该系列产品加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程(包括自主的IP、材料、设计、工艺等),彰显了我司科技创新的核心竞争力。
芯塔电子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售,包括军工、新能源汽车、充电桩等领域,同时也已获得众多客户的咨询和明确需求,预计今年营收会有爆发性增长。
依靠十多年的技术积累和专注的技术研发,芯塔电子已形成比较完整的功率器件产品体系,包括6英寸SiC肖特基二极管芯片,650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件,SiC MOSFET器件和模块。
芯塔电子目前已积累上百家客户资源,并进入了行业标杆客户。在资本方面,芯塔电子已获得了政府的有力支持和头部资源的投资,将助推公司更加快速地发展。芯塔电子将加快创新驱动,携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。
相关阅读
A区(已抢空)
微硕(A01-02)、矽力杰(A03)、芯朋(A04-06)、VSG(A08)、杰华特(A09)、钰泰(A10)、锐仕嘉(A11)、东科(A12-15)、力生美(A16)、坤兴(A17)、熙素微(A18)、威兆(A19)、赛泰(A22)、新页微(A23)、芯塔(A24)、百隆电子(A25)、泰高(A26)、俊凯达(A27)、乐得瑞(A28-29)、百斯科(A30)、艾思科技(A31)、Elevation(A32)、贝兰德(A33)、胜宏(A36)、智融(A37)、宝砾微(A38)、意丰精密(A39)、聚能创芯(A40-43)、锐骏(A44)、瑞亨(A45)、古石(A46)、立讯精密(A47)
B区(已抢空)
美浦森(B01-02)、卡旺达(B03-04)、泰克威(B05)、新斯宝(B06)、芯控源(B07-08)、特锐祥(B09-10、B27-28)、诚润(B11)、德协(B12)、江智(B13)、国金燊(B14)、芯冠(B15)、羽博(B16、B21)、誉鸿锦(B17-20)、恒泰柯(B22)、研吉(B23)、华羿微(B24)、速芯微(B25)、能华微(B26)、PI(B29-30)、力科(B31)、力宏微(B32)、汉宇热能(B33)、黄宝石(B34)、基本半导体(B35)、TUV(B36)、沃尔德(B37-40)、中富电路(B41)、富华(B42)、佳域(B43)、真茂佳(B44)、捷捷微电(B45)、沁恒(B46)、必易微(B47-48)、茂睿芯(B49-50、B67-68)、泓森精密(B51)、伏达(B52)、芯干线(B53)、英嘉通(B54)、环球半导体(B55)、纳微(B56-61)、士兰微(B62)、长晶(B63)、亚成微(B64)、瞻芯(B65)、小镓伙(B66)、、阿卡西斯(B69-70、B87-88)、鞍山奇发(B71)、美芯晟(B72)、通嘉(B73)、旭茂微(B74)、卓芯微(B75)、森国科(B76)、步步精(B77-80)、阿图姆(B81)、华瑞微(B82)、天德钰(B83)、田中精机(B84)、精睿(B85)、展嵘(B86)、威源新能(B89-90、B107-108)、鸿镓(B91)、沃泰芯(B92)、时科(B93)、雅晶源(B94-95)、英集芯(B96)、茂迪(B97-100)、蓝箭(B101)、中西游(B102) 、新亚电子(B103)、昂盛达(B104-105)、鲸测云(B106)、军康(B109-110)、美思半导体(B111)、东承信(B112-113)、宇昊( B114)、辰达行(B115)、科尼盛(B116)、沃尔德(B117-118)
C区(已抢空)
蓝宝(C01-02)、科雅(C03)、辰阳(C04-05)、Transphorm(C06-07)、镓未来(C08-09、C22-23)、华源(C10)、华锦(C11)、博兰得(C12)、叁叶源(C13)、必能信(C14)、燊旺和(C15)、优品仕(C16)、华润微(C17)、德立华(C18)、威凯(C19)、普仕达(C20)、正浩(C21)、华美(C24-25、C38-39)、国瑞阳光(C26)、诚悦(C27-28)、富登(C29)、易冲(C30)、超力源(C31-32)、华阳智能(C33)、瑞嘉达(C34)、贝奇(C35)、航嘉(C36)、慧能泰(C37)、晶丰明源(C40-41、C54-55)、高特(C42)、维普(C43)、同轴(C44)、瑞吉达(C45)、首诺信(C46-49)、硅动力(C50)、万京源(C51)、创芯微(C52)、方舟微(C53)、星恒(C56、C71)、晶昶能(C57)、东佳(C58)、泰科天润(C59)、贝特(C60)、钰邦凯泽鑫(C61)、英诺赛科(C62-65)、柔性磁电(C66)、三浦微(C67-68)、立创普(C69)、安森德(C70)、南芯(C72-73、C86-87)、芯导(C74)、聚泉鑫(C75)、益程(C76)、长瑞(C77)、芯海(C78-81)、鹏元晟(C82)、力林(C83)、旭联(C84-85)、辉越(C88-89)、初态(C90)、铼微(C91)、简单智能(C92)、大宇精密(C93)、永铭(C94-95)
D区(开放中)
安卫控(D01)、金晟欣(D02)、酷科(D03)、精拓(D05)、强弦科技(D06)、斯泰克(D07)、宏曦睿(D09)
参展联系:info@chongdiantou.com
回复