铼微参加2022亚洲充电展，推出两款D-MODE氮化镓开关管

铼微参加2022亚洲充电展，展位号位于C91。

公司介绍

宁波铼微半导体有限公司于2019年6月成立，从事氮化镓（GaN）等第三代半导体器件的开发、生产与应用。

公司为IDM模式，包含外延生长、器件设计和器件制备整套流程。已建成厂房总面积为6000m2，其中净化间共1800m2。

公司研发团队实力雄厚，目前有包含国家级专家1名、省级专家1名等具有硕士和博士学位的研发人员15名。

目前欧美国家虽然对于GaN功率开关器件的研发进展快，但多是设计厂商，即通过和代工厂的合作，进行研发和生产。本公司可以实现 6 英寸GaN芯片的自主设计和自主生产。

GaN功率开关器件两个重要技术指针就是高功率密度和高效率。高功率密度体现在同样额定功率下的体积更小，而高效率体现在节能环保和更低的工作温度上。氮化镓器件由于具有更高的开关速度、同样晶圆下更小的导通电阻，因而具备更高的效率和更高的开关频率，使快速充电成为可能。内置氮化镓器件的快充技术已经进入了快速发展阶段。根据行业调查显示，作为消费类电子风向目标手机行业中，目前已经有华为、小米、OPPO等多个知名品牌推出了基于氮化镓的快充产品。

产品介绍

如同MOS管分为耗尽型和增强型两种，氮化镓开关管同样分成耗尽型和增强型两种。通俗来讲，增强型MOS管，在栅极没有驱动电压的时候，MOS管处于关断状态，耗尽型在没有栅极驱动电压时就开始导通，需要负压才能关断。

增强型的氮化镓器件为E-MODE，耗尽型的氮化镓器件为D-MODE，通过将低压硅MOS与D-MODE氮化镓组合起来，D-MODE耗尽型氮化镓既具有E-MODE增强型氮化镓的常关性能，还具有简化的栅极驱动。

相比主流E-MODE增强型氮化镓6V的驱动电压，D-MODE耗尽型氮化镓器件可以支持高达15V的驱动电压，从而可以兼容传统硅MOS的驱动电路和控制器，简化驱动电路设计，降低氮化镓的应用门槛，提升电源产品的转换效率。

宁波铼微半导体有限公司于2019年6月成立，从事氮化镓（GaN）等第三代半导体器件的开发、生产与应用。公司为IDM模式，包含外延生长、器件设计和器件制备整套流程。已建成厂房总面积为6000m²，其中净化间共1800m²。

公司研发团队实力雄厚，目前有包含国家级专家1名、省级专家1名等具有硕士和博士学位的研发人员15名。铼微半导体可实现 6 英寸GaN芯片的自主设计和自主生产。

充电头网获悉，铼微半导体推出了两款耐压650V的D-MODE耗尽型氮化镓开关管，采用TO220封装和DFN5*6封装，满足不同场合的产品需求。

铼微NPTC6502001是一款TO220封装的氮化镓开关管，耐压650V，导阻250mΩ，支持10A连续电流，20A脉冲电流，适用于高速DC-DC转换，开关电源应用以及电池快充应用等。

铼微NPTC6502002是一款DFN5*6封装的氮化镓开关管，耐压650V，导阻250mΩ，支持10A连续电流以及20A脉冲电流，适用于高速DC-DC转换，开关电源应用以及电池快充应用等。

铼微氮化镓器件已经用于65W氮化镓快充应用，相比传统硅器件具有明显的效率优势。

充电头网总结

D-MODE耗尽型氮化镓器件的推出，相比E-MODE增强型氮化镓来说，栅极耐压高，可以支持更宽泛的栅极驱动电压，栅极耐过压能力也更强。耗尽型氮化镓能够使用为硅MOS而设计的控制器，更容易实现大功率应用设计。

铼微推出的两款耗尽型氮化镓器件，采用大功率电源中常见的TO220封装与快充电源中常用的DFN5*6封装，能很好的适配不同应用，在不同的产品上发挥氮化镓性能优势。

A区（仅剩2席）

冠华伟业（A01-02）、矽力杰（A03）、芯朋（A04-06）、金晟欣（A07）、VSG（A08）、杰华特（A09）、钰泰（A10）、锐仕嘉（A11）、东科（A12-15）、力生美（A16）、坤兴（A17）、熙素微（A18)、威兆（A19)、宏曦睿（A20)、新页微（A23）、芯塔（A24）、百隆电子（A25）、泰高（A26-29）、百斯科(A30)、艾思科技（A31）、Elevation（A32）、贝兰德（A33）、酷科（A34）、强弦科技（A35）、胜宏（A36）、智融（A37）、宝砾微（A38）、意丰精密（A39)、聚能创芯（A40-43）、锐骏（A44)、瑞亨（A45）、古石（A46）、立讯精密（A47) 、斯泰克（A48）

B区（已抢空）

美浦森（B01-02）、卡旺达（B03-04)、泰克威（B05）、新斯宝（B06）、芯控源（B07-08）、特锐祥（B09-10、B27-28）、诚润（B11)、德协（B12）、江智（B13)、国金燊（B14）、芯冠（B15）、羽博（B16、B21)、誉鸿锦（B17-20）、恒泰柯（B22）、研吉（B23）、华羿微（B24）、速芯微（B25）、能华微（B26）、PI（B29-30）、力科（B31)、力宏微（B32）、汉宇热能（B33）、黄宝石（B34）、基本半导体（B35）、TUV（B36）、沃尔德（B37-40）、中富电路（B41）、富华（B42）、佳域（B43）、真茂佳（B44）、捷捷微电（B45）、沁恒（B46）、必易微（B47-48）、茂睿芯（B49-50、B67-68）、泓森精密（B51）、伏达（B52）、芯干线（B53）、英嘉通（B54）、环球半导体（B55）、纳微（B56-61）、士兰微（B62）、长晶（B63)、亚成微（B64）、瞻芯（B65)、小镓伙（B66)、、阿卡西斯（B69-70、B87-88)、鞍山奇发（B71）、美芯晟（B72）、通嘉（B73）、旭茂微（B74）、卓芯微（B75）、森国科（B76）、步步精（B77-80）、阿图姆（B81）、华瑞微（B82)、天德钰（B83）、田中精机（B84）、精睿（B85）、展嵘（B86）、威源新能（B89-90、B107-108）、鸿镓（B91）、沃泰芯（B92）、时科（B93）、雅晶源（B94-95）、英集芯（B96）、茂迪（B97-100）、蓝箭（B101）、中西游（B102） 、新亚电子（B103）、昂盛达（B104-105）、鲸测云（B106）、军康（B109-110）、美思半导体（B111）、东承信（B112-113）、宇昊（ B114）、辰达行（B115）、科尼盛（B116）、沃尔德（B117-118）

C区（已抢空）

蓝宝（C01-02）、科雅（C03）、辰阳（C04-05）、Transphorm（C06-07）、镓未来（C08-09、C22-23）、华源（C10）、华锦（C11）、博兰得（C12）、叁叶源（C13）、必能信（C14）、燊旺和（C15）、优品仕（C16）、华润微（C17）、德立华（C18）、茂硕（C19）、普仕达（C20）、正浩（C21）、华美（C24-25、C38-39）、国瑞阳光（C26）、诚悦（C27-28）、富登（C29）、易冲（C30）、超力源（C31-32）、华阳智能（C33）、瑞嘉达（C34）、贝奇（C35）、航嘉（C36)、慧能泰（C37）、晶丰明源（C40-41、C54-55）、高特（C42）、维普（C43）、同轴（C44）、瑞吉达（C45）、首诺信（C46-49）、硅动力（C50）、万京源（C51）、创芯微（C52）、方舟微（C53）、星恒（C56、C71）、晶昶能（C57)、东佳（C58）、泰科天润（C59）、贝特（C60）、钰邦凯泽鑫（C61）、英诺赛科（C62-65）、柔性磁电（C66）、三浦微（C67-68）、立创普（C69）、安森德（C70）、南芯（C72-73、C86-87）、芯导（C74）、聚泉鑫（C75）、益程（C76）、长瑞（C77）、芯海（C78-81）、鹏元晟（C82）、力林（C83）、旭联（C84-85）、辉越（C88-89）、初态（C90）、铼微（C91）、简单智能（C92）、大宇精密（C93)、永铭（C94-95）

参展联系：info@chongdiantou.com